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Heat Dissipation Structure Ceramic Substrates

Trägerplatten für GaAs Scheiben

Kyocera bietet ultrareine Trägerplatten aus Saphir für GaAs Wafer.

In der Halbleiterfertigungsindustrie wird Kyoceras Saphirmaterial mit dem extrem hohen Reinheitsgrad von bis zu 99,99% aufgrund seiner Eigenschaften Plasmabeständigkeit, Hitzebeständigkeit und geringem Partikelausfall erfolgreich eingesetzt. Anwendungen: Verarbeitungskomponenten, Werkzeuge und strukturelle Komponenten.

Merkmale

Temperaturbeständigkeit Plasmabeständigkeit Niedriger Dielektrizitätsverlust

Produktspezifikationen

Material
Einkristallsaphir
Genauigkeit
Standardtoleranz (mm, Nominaldimension: a)
1>a : ±0,05
1≦a≦4 : ±0,1
4<a≦25 : ±0,2
25<a≦102 : ±0,25
102<a≦190 : ±0,5
190<a : ±1

Anwendungen

  • Wafer-Transport

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